搜索
楼主: doatello

【颁奖】GaN器件知多少?Qorvo GaN器件大起底!

[复制链接]

3

主题

2109

帖子

6565

积分

论坛元老

Rank: 8Rank: 8

积分
6565
发表于 2017-6-27 18:09:26 | 显示全部楼层
QPD2194
300 Watt, 48 Volt, 1.8-2.2 GHz GaN RF Power Transistor

关键性能

Frequency Range: 1.8-2.2 GHz
Operating Drain Voltage: +48 V
Maximum Output Power (PSAT): 371 W
Maximum Drain Efficiency: 78.8%
Efficiency-Tuned P3dB Gain: 18.0 dB
2-lead, earless, ceramic flange NI400 package

频率最小值(MHz)        1.8
频率最大值(MHz)        2.2
增益(dB)        21
Psat(dBm)        55.7
漏极效率(%)        78.8
VD(V)        48
Idq(mA)        600
封装类型        NI400
回复 支持 反对

使用道具 举报

3

主题

2109

帖子

6565

积分

论坛元老

Rank: 8Rank: 8

积分
6565
发表于 2017-6-27 18:10:42 | 显示全部楼层
QPD2731
2.5 - 2.7 GHz, 110 Watt / 220 Watt, 48 Volt, Asymmetric Doherty

关键性能

Frequency Range: 2.5 -2.7GHz
Drain Voltage: 48V
Output Power (P3dB): 316W
Doherty Efficiency: 60.0%
NI-780 Ceramic Package

频率最小值(MHz)        2,500
频率最大值(MHz)        2,700
增益(dB)        16
漏极效率(%)        60
VD(V)        48
Idq(mA)        220
封装类型        NI-780
回复 支持 反对

使用道具 举报

3

主题

2109

帖子

6565

积分

论坛元老

Rank: 8Rank: 8

积分
6565
发表于 2017-6-27 18:11:58 | 显示全部楼层

TGF2023-2-01
DC - 18 GHz, 6 Watt Discrete Power GaN on SiC HEMT

关键性能

Frequency range: DC to 18 GHz
38 dBm nominal Psat at 3 GHz
71.6% maximum PAE
18 dB nominal power gain at 3 GHz
Bias: Vd = 12 -32 V, Idq = 125 mA
Chip dimensions: 0.82 x 0.66 x 0.10 mm

频率最小值(MHz)        DC
频率最大值(MHz)        18,000
增益(dB)        18
Psat(dBm)        38
PAE(%)        71.6
VD(V)        12 to 32
Idq(mA)        25 to 125
封装类型        Die
回复 支持 反对

使用道具 举报

3

主题

2109

帖子

6565

积分

论坛元老

Rank: 8Rank: 8

积分
6565
发表于 2017-6-27 18:13:21 | 显示全部楼层
TGF2819-FL
DC - 3.5 GHz, 100 Watt, 32 - 50 V GaN RF Power Transistor

关键性能

Frequency range: DC - 3.5GHz
Output power (P3dB): 126 W at 3.3GHz
Linear gain: > 14 dB typical at 3.3 GHz
Typical PAE3dB: > 58 % at 3.3 GHz
Operating voltage: 32 - 50V
Low thermal resistance package

频率最小值(MHz)        DC
频率最大值(MHz)        3,500
增益(dB)        > 14
Psat(dBm)        51
PAE(%)        58
VD(V)        32 to 50
Idq(mA)        250
封装类型        NI-360
回复 支持 反对

使用道具 举报

3

主题

2109

帖子

6565

积分

论坛元老

Rank: 8Rank: 8

积分
6565
发表于 2017-6-27 18:15:05 | 显示全部楼层
TGF2956
DC - 12 GHz, 55 Watt Discrete Power GaN on SiC HEMT

关键性能

Frequency range: DC - 12 GHz
47.6dBm nominal Psat at 3 GHz
69.7% maximum PAE at 3 GHz
19.3dB nominal power gain at 3 GHz
Bias: Vd = 32V, Idq = 200mA
Chip dimensions: 0.82 x 2.88 x 0.10 mm

频率最小值(MHz)        DC
频率最大值(MHz)        12,000
增益(dB)        19.3
Psat(dBm)        47.6
PAE(%)        69.7
VD(V)        32
Idq(mA)        200
封装类型        Die
回复 支持 反对

使用道具 举报

3

主题

2109

帖子

6565

积分

论坛元老

Rank: 8Rank: 8

积分
6565
发表于 2017-6-27 18:16:50 | 显示全部楼层
T2G6000528-Q3
DC - 6 GHz, 7 Watt, 28 V GaN RF Power Transistor

关键性能

Frequency: DC to 6 GHz
Linear Gain: 17 dB at 3.3 GHz
Operating Voltage: 28 V
Output Power (P3dB): 10 W at 3.3 GHz
Lead-free and RoHS compliant
Low thermal resistance package

频率最小值(MHz)        DC
频率最大值(MHz)        6,000
增益(dB)        17
Psat(dBm)        40
漏极效率(%)        53
VD(V)        28
Idq(mA)        50
封装类型        NI-200
回复 支持 反对

使用道具 举报

3

主题

2109

帖子

6565

积分

论坛元老

Rank: 8Rank: 8

积分
6565
发表于 2017-6-27 18:17:58 | 显示全部楼层
RFG1M09090
700 - 1000 MHz, 90 Watt GaN Power Amplifier

关键性能

Advanced GaN HEMT Technology
Typical Peak Modulated Power > 120W
Advanced Heat-Sink Technology
Single Circuit for 865MHz To 960MHz
48V Operation Typical Performance:
POUT = 44dBm
Gain = 20dB
Drain Efficiency = 38%
ACP = -33.5dBc
Linearizable to - 55dBc with DPD - 25 to 85 degrees C Operating Temperature
Optimized for Video Bandwidth and Minimized Memory Effects
RF Tested for 3GPP Performance
RF Tested for Peak Power Using IS95
Large Signal Models Available

频率最小值(MHz)        865
频率最大值(MHz)        960
增益(dB)        20
Psat(dBm)        51
漏极效率(%)        45
VD(V)        48
Idq(mA)        300
封装类型        RF400-2
回复 支持 反对

使用道具 举报

3

主题

2109

帖子

6565

积分

论坛元老

Rank: 8Rank: 8

积分
6565
发表于 2017-6-27 18:18:58 | 显示全部楼层
TQP0104
DC - 4 GHz, 30 Watt GaN Power Transistor

关键性能

Frequency: DC to 4 GHz
Output Power (P3dB): 44.6 dBm
Linear Gain: 17 dB
Operating Voltage: 32 V
Drain Efficiency: 64% at P3dB
Package Dimensions: 3 x 4 mm QFN

频率最小值(MHz)        DC
频率最大值(MHz)        4,000
增益(dB)        17
Psat(dBm)        44.6
PAE(%)        60
VD(V)        32
Idq(mA)        70
回复 支持 反对

使用道具 举报

3

主题

2109

帖子

6565

积分

论坛元老

Rank: 8Rank: 8

积分
6565
发表于 2017-6-27 18:20:07 | 显示全部楼层
RFG1M20180
1.8 - 2.2 GHz, 180 Watt GaN Power Amplifier


关键性能

Advance GaN HEMT Technology
Typical Peak Modulated Power > 180W
Advanced Heat-Sink Technology
Single Circuit for 1.8GHz to 2.2GHz
48V Operation Typical Performance:
POUT = 45.5dBm
Gain = 15dB
Drain Efficiency = 31%
ACP = -38dBc
Linearizable to -55dBc with DPD
-25 to 85 degrees C Operating Temperature
Optimized for Video Bandwidth and Minimized Memory Effects
RF Tested for 3GPP Performance
RF Tested for Peak Power Using IS95
Large Signal Models Available

频率最小值(MHz)        1,800
频率最大值(MHz)        2,200
增益(dB)        15
Psat(dBm)        52.5
漏极效率(%)        40
VD(V)        48
Idq(mA)        600
封装类型        RF400-2 with flange
回复 支持 反对

使用道具 举报

3

主题

2109

帖子

6565

积分

论坛元老

Rank: 8Rank: 8

积分
6565
发表于 2017-6-27 18:21:08 | 显示全部楼层
TGF3021-SM
0.03 - 4.0 GHz, 30 Watt, 32 V GaN RF Transistor

关键性能

Frequency range: 30 MHz-4.0 GHz
Output power (P3dB): 36 W at 2.0 GHz
Linear gain: 19.3 dB typical at 2.0 GHz
Typical PAE3dB: 72.7 % at 2.0 GHz
Operating voltage: 32 V
Low thermal resistance package
CW and pulse capable
3 x 4 mm package

频率最小值(MHz)        30
频率最大值(MHz)        4,000
增益(dB)        19
Psat(dBm)        45
PAE(%)        73
VD(V)        32
Idq(mA)        65
封装类型        QFN
封装(mm)        4 x 3
回复 支持 反对

使用道具 举报

您需要登录后才可以回帖 登录 | 立即注册

本版积分规则

关闭

站长推荐上一条 /1 下一条

Archiver|手机版|小黑屋|RF技术社区

GMT+8, 2020-11-27 11:13 , Processed in 0.057065 second(s), 5 queries , MemCache On.

Powered by Discuz! X3.4

Copyright © 2001-2020, Tencent Cloud.

快速回复 返回顶部 返回列表