【GAN分享】氮化镓功率半导体器件技术

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发表于 2015-9-10 22:26:15 | 显示全部楼层 |阅读模式

摘要:作为第三代半导体材料的典型代表, 宽禁带半导体氮化镓( GaN) 具有许多硅材料所不具备的优异性能,是高频、高压、高温和大功率应用的优良半导体材料, 在民用和军事领域具有广阔的应用前景。随着GaN 技术的进步, 特别是大直径硅( Si ) 基 GaN 外延技术的逐步成熟并商用化, GaN 功率半导体技术有望成为高性能低成本功率技术解决方案, 从而受到国际著名半导体厂商和研究单位的关注。总结了 GaN 功率半导体器件的最新研究, 并对GaN 功率器件发展所涉及的器件击穿机理与耐压优化、器件物理与模型、电流崩塌效应、工艺技术以及材料发展等问题进行了分析与概述。