GaAS Pin diode选择合适的射频开关（一）

lltt4529854

Pin 开关的性能更好吧,常用于微波混合集成电路，GaAS开关常用于单片电路中。

1413zhaoj

功率太大,开关隔离度下降,插损变大.产品手册给的P1dB是多少?

toxotae

不错，thanks！！

qiyan307

不错，如果能拿一个实际的产品来讨论就更好了。

cdcharles

功率大了，开关的性能肯定是要变化的，GaAs开关适合小功率下工作

leopoldhuang

wjq041

GaAS：砷化镓开关，其作为开关的本质等效为电压控制的可变电阻，沟道的夹断或者导通决定着信号的通断。由于其属于耗尽型FET，所以需要使用负压驱动栅极（此时源极接地），当Vgs0时，FET沟道畅通（D和S极短路）。例如：在上图中，VA=-5V、VB=0V时：左边并联FET断开、左串联FET导通、右串联FET断开、右并联FET导通，信号从RFC to RF1；VA、VB反过来，则反之。
砷化镓开关，具有优良的ip3、隔离度特性，使其大量运用在需要高隔离、低插损、线性度要求较高的射频电路中。
缺点是：
需要负压驱动，虽然可以通过ASIC（专用驱动电路）或74HC等TTL\COMS器件，使用负压反接供电，产生负的逻辑电平驱动，总之还是增加了复杂度和成本。
为了克服这一缺点，许多厂家均推出正压驱动（控制）的砷化镓开关，其原理是将S极直流接正压约=开关供电电压VDD（+值），这样就必须用正压驱动栅极。但开关的RF脚必须接电容隔直。此做法方便了工程师设计，不需要在电路中引入负压，即可控制砷化镓开关，但是影响了开关的响应速度，你会发现负压控制的砷化镓开关其典型响应时间

Rowan

pin diode比较好，我们现在的产品U/V段都用这种

lzheng1984

xiaobaicai-5702

GaAS不是很了解 长见识了