社区精彩推荐+每日签到-7.27

yinwuqing

签到签到

ghost110

GAAS PHEMTS
Qorvo 采用一流的超低噪声 0.13 µm pHEMT 和 0.25 µm E-pHEMT 工艺提供广泛的分立式晶体管组件。这些分立式设备让客户能够在设计低噪声放大器 (LNA) 电路时掌握全面控制权。各种分立式 FET 可以提供低至 0.15 dB 的噪声系数，可用于高达 22 GHz 的范围。还可提供成对晶体管，非常适合均衡的 LNA 设计。

eefocus_3761755

GAAS PHEMTS
Qorvo 采用一流的超低噪声 0.13 µm pHEMT 和 0.25 µm E-pHEMT 工艺提供广泛的分立式晶体管组件。这些分立式设备让客户能够在设计低噪声放大器 (LNA) 电路时掌握全面控制权。各种分立式 FET 可以提供低至 0.15 dB 的噪声系数，可用于高达 22 GHz 的范围。还可提供成对晶体管，非常适合均衡的 LNA 设计。

eefocus_3736717

GAAS PHEMTS
Qorvo 采用一流的超低噪声 0.13 µm pHEMT 和 0.25 µm E-pHEMT 工艺提供广泛的分立式晶体管组件。这些分立式设备让客户能够在设计低噪声放大器 (LNA) 电路时掌握全面控制权。各种分立式 FET 可以提供低至 0.15 dB 的噪声系数，可用于高达 22 GHz 的范围。还可提供成对晶体管，非常适合均衡的 LNA 设计。

wx暗夜霜

GAAS PHEMTS
Qorvo 采用一流的超低噪声 0.13 µm pHEMT 和 0.25 µm E-pHEMT 工艺提供广泛的分立式晶体管组件。这些分立式设备让客户能够在设计低噪声放大器 (LNA) 电路时掌握全面控制权。各种分立式 FET 可以提供低至 0.15 dB 的噪声系数，可用于高达 22 GHz 的范围。还可提供成对晶体管，非常适合均衡的 LNA 设计。

ghost110

GAN HEMTS
Qorvo 提供包含不同功率、电压和频率级别水平的广泛的氮化镓 (GaN) 分立式晶体管产品，采用裸片级和封装级解决方案。我们的产品提供高性能 GaN 和工业标准封装的便利性，可加快设计和制造，且都由我们行业领先的可靠性作为保障。

eefocus_3761755

GAN HEMTS
Qorvo 提供包含不同功率、电压和频率级别水平的广泛的氮化镓 (GaN) 分立式晶体管产品，采用裸片级和封装级解决方案。我们的产品提供高性能 GaN 和工业标准封装的便利性，可加快设计和制造，且都由我们行业领先的可靠性作为保障。

eefocus_3736717

GAN HEMTS
Qorvo 提供包含不同功率、电压和频率级别水平的广泛的氮化镓 (GaN) 分立式晶体管产品，采用裸片级和封装级解决方案。我们的产品提供高性能 GaN 和工业标准封装的便利性，可加快设计和制造，且都由我们行业领先的可靠性作为保障。

wx暗夜霜

GAN HEMTS
Qorvo 提供包含不同功率、电压和频率级别水平的广泛的氮化镓 (GaN) 分立式晶体管产品，采用裸片级和封装级解决方案。我们的产品提供高性能 GaN 和工业标准封装的便利性，可加快设计和制造，且都由我们行业领先的可靠性作为保障。

ghost110

ANTENNAPLEXERS
Qorvo的antennaplexer可允许多个无线电（GPS、Wi-Fi、包括5G在内的蜂窝网络）共用同一根天线。
Antennaplexers (8)