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Qorvo 的放大器产品组合提供工作频率超过 6 GHz 的 GaAs 和 GaN 设备，有裸片和封装形式可选。

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Qorvo 的放大器产品组合提供工作频率超过 6 GHz 的 GaAs 和 GaN 设备，有裸片和封装形式可选。

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Qorvo 的放大器产品组合提供工作频率超过 6 GHz 的 GaAs 和 GaN 设备，有裸片和封装形式可选。

wx暗夜霜

Qorvo 的放大器产品组合提供工作频率超过 6 GHz 的 GaAs 和 GaN 设备，有裸片和封装形式可选。

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Qorvo 提供多种具有行业领先低噪声性能的晶体管和 MMIC 放大器。我们提供多种产品解决方案，包括分立式晶体管、结合内部匹配和片上线性化的封装 MMIC 解决方案，以及用作推挽或均衡放大器配置的双通道放大器。Qorvo 的 LNA 采用我们 0.15 µm、0.25 µm 或 0.5 µm 栅极长度的 pHEMT 工艺生产制造。

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Qorvo 提供多种具有行业领先低噪声性能的晶体管和 MMIC 放大器。我们提供多种产品解决方案，包括分立式晶体管、结合内部匹配和片上线性化的封装 MMIC 解决方案，以及用作推挽或均衡放大器配置的双通道放大器。Qorvo 的 LNA 采用我们 0.15 µm、0.25 µm 或 0.5 µm 栅极长度的 pHEMT 工艺生产制造。

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Qorvo 提供多种具有行业领先低噪声性能的晶体管和 MMIC 放大器。我们提供多种产品解决方案，包括分立式晶体管、结合内部匹配和片上线性化的封装 MMIC 解决方案，以及用作推挽或均衡放大器配置的双通道放大器。Qorvo 的 LNA 采用我们 0.15 µm、0.25 µm 或 0.5 µm 栅极长度的 pHEMT 工艺生产制造。

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Qorvo 提供多种具有行业领先低噪声性能的晶体管和 MMIC 放大器。我们提供多种产品解决方案，包括分立式晶体管、结合内部匹配和片上线性化的封装 MMIC 解决方案，以及用作推挽或均衡放大器配置的双通道放大器。Qorvo 的 LNA 采用我们 0.15 µm、0.25 µm 或 0.5 µm 栅极长度的 pHEMT 工艺生产制造。

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有害相位噪声（也称为抖动）会导致较差的信号完整性，从而造成性能不达标。Qorvo的低相位噪声放大器产品线阵容凭借在10kHz偏移时低至-165 dBc/Hz的低相位噪声性能解决了这一难题。该系列放大器覆盖DC至40GHz（UHF、L、S、C、X、Ku、K和Ka频段）范围；并可作为本地振荡器（LO）驱动器或接收器放大器，用于需要相位噪声或抖动降至绝对最低水平的各种设计。我们推出的多款产品均提供裸片和表面贴装QFN封装。

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有害相位噪声（也称为抖动）会导致较差的信号完整性，从而造成性能不达标。Qorvo的低相位噪声放大器产品线阵容凭借在10kHz偏移时低至-165 dBc/Hz的低相位噪声性能解决了这一难题。该系列放大器覆盖DC至40GHz（UHF、L、S、C、X、Ku、K和Ka频段）范围；并可作为本地振荡器（LO）驱动器或接收器放大器，用于需要相位噪声或抖动降至绝对最低水平的各种设计。我们推出的多款产品均提供裸片和表面贴装QFN封装。