目前,在射频器件中以碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)为代表的第三代半导体为基础的功放管得到逐步广泛应用。近年来半导体研究领域对氧化镓的研究不断取得进展,使这种第四代半导体的代表材料走入视野,凭借其比 SiC 和 GaN 更宽的禁带、耐高压、大功率等更优的特性,在功率应用方面具有独特优势。碳纳米管是由碳原子构成的石墨片层卷成的无缝、中空管状结构,半导体性碳纳米管具有大长径比、无悬键表面、高载流子迁移率、室温弹道输运等独特结构特征和优异电学性质,因而被认为是十纳米以下高性能、低功耗晶体管沟道材料的有力候选,因此有望用于构建超硅微处理器。