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亲爱的小伙伴们，GaN有奖问答的活动再次来临。 本期继续举办关于GaN技术的有奖问答。
第三期获奖：氮化镓（GaN）知识有奖问答获奖名单（第三期）
第四期获奖：氮化镓（GaN）知识有奖问答获奖名单（第四期）
下面是活动的规则以及奖项设置，大家仔细看哈~
活动时间：11.12——11.26
活动规则及奖项设置 本次活动将举办两期，每期小编都会给大家留几个问题，并列出参考资料，答案就在参考文章里。
1.每关四题全对者，将会进行随机抽奖，选取一名获得四轴航拍飞行器。 2.每关答对三题及以上者，将会进行随机抽奖，选取二名获得罗技无线鼠标。 3.每关答对两题及以上者，将会进行随机抽奖，选取三名获得16G手机内存卡。
注：直接回复本帖写出答案即可。
第四期问题如下（已结束）
5.HEG205B型1.2~1.4GHz 20W高效GaN微波功率模块的特性是什么？ 答案提示：参考文章一
6.氮化镓的压电性是如何产生的？ 答案提示：参考文章二
7.氮化镓场效应管的几何结构方程式？ 答案提示：参考文章二
8.氮化镓的横向半导体结构包括哪些？ 答案提示: 参考文章二
第三期问题如下，持续一周（已结束） 1.HEG001D型1.2~1.4GHz 20W高效GaN微波功率模块的特性是什么？ 答案提示：参考文章一 2.氮化镓（GaN）的熔点为多少？ 答案提示：参考文章二
3.碳化硅基氮化镓在射频应用中脱颖而出的原因是什么？ 答案提示：参考文章三
4.氮化镓的纵向半导体结构包括哪些？ 答案提示：参考文章三
参考文章：
奖品展示
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发表于 2015-10-21 14:11:29
楼主
