高通成功的低成本射频元件方案“RF360”，是采用半导体CMOS制程的PA，与其他PA制造商Skyworks、Avago、RFMD等PA供应商采用砷化镓（GaAs）制程不同。
但据EDN之前的报道，该产品并非标准CMOS制程，而是绝缘层覆硅(SOI)CMOS，该技术想要整合到AB或BP，存在一定的技术挑战。
一语中的！
高通果然耐不住还是投向了砷化镓的怀抱。
日前其与TDK合资，在新加坡设立了新公司“RF360 Holdings Singapore”，该信公司中，高通占有51%的股份，而TDK占49%。高通计划在未来的新公司中持续投入30亿美金。TDK旗下从事射频模组业务的子公司EPCOS，会将部分业务分拆出来成立“RF360”。
高通对RF元件布局变了。
由于高通计划在2017年推出新的砷化镓PA，市场预期，今年会开始寻找合适代工厂，最快年底就会有样品，明年就能上市。
对竞争对手及代工厂的影响
RF360之前是由台积电八寸厂制造，再搭配自家手机芯片出货。
相较高通推出自家PA等RF元件，竞争对手联发科则是采合作方式，在手机公板上认证Skyworks、Avago、RFMD及天津的唯捷创芯(Vanchip)的元件，避免周边零组件供应出现长短脚现象。
这次高通RF元件策略转向砷化镓制程，将使得宏捷科、稳懋等代工厂有机会受益，至于对台积电的影响则有待观察。
高通CEO Steve Mollenkopf回应时表示，与TDK合作推出的“gallium arsenide PAs”（即砷化镓PA）将于2017年生产，这是一个比较合适的时间点，届时会再寻找合适的应用市场。
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发表于 2016-2-22 09:39:08
