多源管理功能(Multi Admin)可以让用户将设备连接任何支持 Matter 的生态系统

1023 观看 doatello 上传于 2022-03-07 13:34:15

多源管理功能(Multi Admin)可以让用户将设备连接任何支持 Matter 的生态系统,为每个设备分别设置与哪些系统共享,也可以轻松地将多个设备添加到新的生态系统中,开启全新体验。

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Qorvo® 为 1.8 GHz DOCSIS® 4.0 线缆应用带来出众性能

2023 年 5 月 26 日,全球领先的连接和电源解决方案供应商 Qorvo宣布,Qorvo 旗下的 1.8 GHz DOCSIS® 4.0 产品组合又添新成员。Qorvo 的 QPA3314 混合功率倍增器放大器模块的工作频率为 45 MHz 至 1.794 GHz,将出色的线性度和回波损耗性能与低噪声和高可靠性相结合。

使用开尔文连接提高 SiC FET 的开关效率

碳化硅 (SiC) 等宽带隙器件可实现能够保持高功率密度的晶体管,但需要使用低热阻封装,比如 TO-247。然而,此类封装的连接往往会导致较高的电感。阅读本博文,了解如何谨慎使用开尔文连接技术以解决电感问题。

SiC 的速度挑战

极小的轨道值或寄生电感以及电路电容会产生振铃,而且如果必须添加多个昂贵的大滤波器来突破发射限制,宽带隙技术就变得没那么有吸引力了。振铃还会导致电压过冲,从而可能造成损坏,至少会降低电压安全裕度,因而必须使用额定电压更高或更昂贵的器件,而这通常伴随更高的导电损耗。

使用共源共栅拓扑消除半导体开关中的米勒效应

由于存在物理学定律,电阻、电容和电感将继续成为挑战。我们对此无能为力,所以自热离子真空管问世以来,电子设计人员就学会了通过开发巧妙的电路拓扑来解决这些问题。事实证明,物理学就是物理学,过去适用于真空管的理论同样适用于如今的高性能半导体。了解更多信息。

UnitedSiC 推出第 2 版 FET-Jet 计算器,性能迈向新高度

进行功率设计时,如何选择合适的部件可能非常棘手,有时还让人极度烦恼。对于 SiC FET 和 SiC 肖特基二极管,利用 FET-Jet 计算器(第 2 版)可以帮您免除盲目猜测的烦恼。阅读本文,深入了解这款灵活便捷的工具,帮助您选择器件并查看其性能,快速准确地一次敲定设计。