Qorvo动态
AIoT 生态发展大会,Qorvo 诚邀您莅临
AIoT 产业融合多种技术,赋能各行各业,麦肯锡预测,到 2025 年,全球 AIoT 市场规模将达到 11.2 万亿美元。根据 IDC 最新预测数据,全球物联网(企业级)支出规模有望在 2026 年达到 1.1 万亿美元,五年(2022-2026)复合增长 率(CAGR)10.7%。其中,中国企业级市场规模将在 2026 年达到 2,940 亿美元,复合增长率(CAGR)13.2%,全球占比约为 25.7%,继续保持全球最大物联网市场体量。
尽可能地降低 SiC FET 的电磁干扰和开关损耗
随着人们对高效率、高功率密度和系统简单性的需求不断增长,碳化硅 (SiC) FET 因其较快的开关速度、较低的 RDS(on) 和较高的额定电压,逐渐成为对电力工程师极具吸引力的选择。
使用开尔文连接提高 SiC FET 的开关效率
碳化硅 (SiC) 等宽带隙器件可实现能够保持高功率密度的晶体管,但需要使用低热阻封装,比如 TO-247。然而,此类封装的连接往往会导致较高的电感。阅读本博文,了解如何谨慎使用开尔文连接技术以解决电感问题。
使用共源共栅拓扑消除半导体开关中的米勒效应
由于存在物理学定律,电阻、电容和电感将继续成为挑战。我们对此无能为力,所以自热离子真空管问世以来,电子设计人员就学会了通过开发巧妙的电路拓扑来解决这些问题。事实证明,物理学就是物理学,过去适用于真空管的理论同样适用于如今的高性能半导体。了解更多信息。
UnitedSiC 推出第 2 版 FET-Jet 计算器,性能迈向新高度
进行功率设计时,如何选择合适的部件可能非常棘手,有时还让人极度烦恼。对于 SiC FET 和 SiC 肖特基二极管,利用 FET-Jet 计算器(第 2 版)可以帮您免除盲目猜测的烦恼。阅读本文,深入了解这款灵活便捷的工具,帮助您选择器件并查看其性能,快速准确地一次敲定设计。
UnitedSiC FET-Jet 计算器,让 SiC FET 的选择过程不再全凭猜测
仿真器可以提供许多信息,但无法告知哪些功率晶体管可以优化您的设计,也无法确定晶体管在特定应力水平下是否会损坏。这就是在线 FET-Jet 计算器的优势所在。
将 Matter 掌控在自己手中:针对当代智能家居的设计解决方案
智能家居的连接设计太复杂了?是时候让 Matter 出场了!看看 Wi-Fi 7 和 Matter 标准如何改进设计,优化最终用户体验,解决互操作性问题,构建无缝家居网络。
科普|开拓 GaN 技术市场
GaN 独特的材料属性使其成为许多应用全新首选技术,如 5G 通信、汽车、照明、雷达和卫星应用。但 GaN 制造商和开发人员并不止步于此。他们继续通过技术革命来推进 GaN 的发展。这些创新将在未来继续开拓新的应用领域。
小心弯曲:为什么不应通过元件脚端弯曲来走捷径
许多电力工程师都知道如何使用其手工原型获得可行的成果,但在生产环境中,我们需要更好地控制脚端弯曲。否则,可能会引起数不尽的问题。本博客文章讨论了获得可靠结果要避免的错误以及应遵循的建议。
理想开关带来了自身的挑战
在使用具有超快边缘速率的理想半导体开关时,我们会遇到电压过冲和振铃问题。了解面向 SiC FET 的简单 RC 缓冲电路如何解决这些挑战并进一步提高效率。
别生气了,仔细想想温度的变化
同为工程师,没有人想发生意外。尽管已经尽量在设计中使用数据手册中的 “典型” 数据,但还是会发生意外,尤其在与温度相关的情况中。本文将讨论功率晶体管的重要参数以及这些参数如何受温度的影响,进而激发大家进行深度思考。
Qorvo 新任工程师因专业能力而备受关注
丹麦的 3 名 Qorvo 设计工程师凭借他们在 Qorvo 实习期间撰写的文章,登上了丹麦的全国性舞台。Lauge Føns Dyring、Kasper Bruun Olesen 和 Jakob Brask 打造的项目帮助先进的 5G 和 6G 手机解决了具有挑战性的设计规范,他们也因此荣获了丹麦工程协会 (IDA) 奖。阅读本篇博客文章,深入了解这项激动人心的成就。
终结智能家居 “碎片化” 时代的,为什么是 Matter?
作为一种应用层规范,Matter 源于 2019 年底发布的 IP 互联家庭项目(Project Connected Home over IP,简称 CHIP),是为智能家居市场引入互操作性的最新尝试,目标是让用户购买两台 Matter 认证设备时这两台设备能相互联通配合。实现这一目标后,消费者便能放心地购买不同生产厂商的智能家居设备,而厂家则无需为每个大型甚至小型市场客户单独的增加所需功能。
SiC,为何是大势所趋?
随着电动汽车、可再生能源和 5G 等领域的创新步伐不断加快,为满足消费者和行业的需求,越来越多的工程师也在寻求全新解决方案,并对技术提出了更高的要求。SiC 半导体是可以满足这些需求的优选方案,其本身也在不断改进,能提供比旧技术更具成本竞争力的性能。